2. Постройте график изменения потенциала вдоль оси X, перпендикулярной пластинам плоского конденсатора. Поверхностная плотность заряда на пластинах ±σ, расстояние между ними d. Конденсатор заполнен диэлектриком с относительной диэлектрической прониц

2. Постройте график изменения потенциала вдоль оси X, перпендикулярной пластинам плоского конденсатора. Поверхностная плотность заряда на пластинах ±σ, расстояние между ними d. Конденсатор заполнен диэлектриком с относительной диэлектрической проницаемостью ε. За нуль отсчета потенциала примите потенциал отрицательно заряженной пластины.

2.

Комментарии